Nguyên liệu sử dụng

Dựa trên sự kết hợp của các ưu điểm về hiệu suất từ vật liệu Al2O3 và BeOnạp thẻ game, sứ nhôm nitride (AlN) có khả năng dẫn nhiệt cao (hệ số dẫn nhiệt lý thuyết của tinh thể đơn là 275W/m▪k, còn đối với tinh thể đa pha là 70~210W/m▪k), hệ số điện môi thấp, hệ số giãn nở nhiệt tương thích với silicon tinh khiết, và có tính cách điện điện tốt, trở thành vật liệu lý tưởng cho nền mạch và đóng gói trong ngành công nghiệp viễn thông. Ngoài ra, do những đặc tính cơ học ở nhiệt độ cao, khả năng chịu nhiệt và độ ổn định hóa học xuất sắc, nó cũng là một trong những vật liệu quan trọng để chế tạo các chi tiết gốm chịu nhiệt ở nhiệt độ cao.

Mật độ lý thuyết của AlN là 3ty le ca cuoc hom nay,26g/cm3, độ cứng MOHS từ 7-8, điện trở suất ở nhiệt độ phòng lớn hơn 1016Ωm, hệ số giãn nở nhiệt là 3,5×10-6/°C (từ nhiệt độ phòng đến 200°C). Gốm nhôm nitride thuần khiết có màu trong suốt, nhưng do sự hiện diện của tạp chất, chúng có thể chuyển sang nhiều màu khác nhau như xám, trắng xám hoặc vàng nhạt.

Ngoài khả năng dẫn nhiệt caonạp thẻ game, gốm AlN còn có những ưu điểm sau:

1. Cách điện điện tốt;

2. Hệ số giãn nở nhiệt gần với tinh thể đơn silicnạp thẻ game, vượt trội hơn so với vật liệu như Al₂O₃ và BeO;

3. Có độ bền cơ học cao và độ uốn tương tự như gốm Al₂O₃;

4. Hằng số điện môi và hao phí điện môi ở mức vừa phải;

5. So với gốm BeOnạp thẻ game, nhiệt độ dẫn nhiệt của gốm AlN ít bị ảnh hưởng bởi nhiệt độ, đặc biệt là ở trên 200°C;

6. Chịu được nhiệt độ cao và chống ăn mòn;

7. Không độc hại;

8. Phù hợp cho các ngành công nghiệp bán dẫnnạp thẻ game, công nghiệp hóa học kim loại, v.v.;